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SIHU3N50D-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：TO-251AA
  • 批號：--
  • 數(shù)量：3,013 - 立即發(fā)貨
  • 價格：6.370
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    500V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    3A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    3.2 歐姆 @ 2.5A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    12nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    175pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    104W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

  • 產(chǎn)品描述備注

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