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BSO612CV

  • 廠家：Infineon Technologies
  • 封裝：P-DSO-8
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：BSO612CV

BSO612CV

  • 包裝

    剪切帶 （CT）

  • 系列

    SIPMOS?

  • FET 類型

    N 和 P 溝道

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    3A，2A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    120 毫歐 @ 3A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 20μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    15.5nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    340pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產品簡介說明

    MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC

  • 產品描述備注

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